Name: Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B8V2-E3-18
Brand: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
SKU: BZT52B8V2-E3-18
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B8V2-E3-18

Artikelnummer:

BZT52B8V2-E3-18

Hersteller / Marke:

Vishay General Semiconductor – Diodes Division

Teil der Beschreibung.:

DIODE ZENER 8.2V 410MW SOD123

Datenblätte:

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Spezifikationen
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~~Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B8V2-E3-18 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments BZT52B8V2-E3-18.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Spannung - Zener (Nom) (Vz)	8.2 V
Toleranz	±2%
Supplier Device-Gehäuse	SOD-123
Serie	BZT52
Leistung - max	410 mW
Verpackung / Gehäuse	SOD-123
Paket	Tape & Reel (TR)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C
Befestigungsart	Surface Mount
Impedanz (Max) (Zzt)	7 Ohms
Strom - Sperrleckstrom @ Vr	100 nA @ 6 V
Grundproduktnummer	BZT52B8V2
BZT52B8V2-E3-18 Einzelheiten PDF [English]	BZT52B8V2-E3-18 PDF - EN.pdf

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https://www.Y-IC.com/RFQ-Quote.htm
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